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自供電射頻發(fā)生器采用推挽工藝模式功率 MOSFET,具有低電感器電壓和功率匹配,可實現(xiàn)快速、準(zhǔn)確的感應(yīng)加熱。由于其緊湊的設(shè)計,它特別適合實驗室和工業(yè)應(yīng)用,安裝在自動機器、鑄造生產(chǎn)線和機器中。適用于各種類型的感應(yīng)加熱,例如:淬火、釬焊、退火、焊接、熔煉、閃速熔煉(也在真空容器中)。適用于 0.2 至 1.7 µH 之間的電感器,具體取決于器件和電感器。帶有獨立高頻部件的開關(guān)設(shè)備(電纜長度 2.5 m)。射頻輸出與網(wǎng)絡(luò)電隔離。
適用于生產(chǎn)線應(yīng)用
重量輕
易于控制和操作
感應(yīng)線圈
用于測溫的溫度控制裝置
光學(xué)高溫計
用于其他感應(yīng)區(qū)域的附加電容器
腳踏開關(guān)
RS-485 串行接口
產(chǎn)地:德國
高頻輸出功率 (kW):2.4
電感值(微克牛頓):0.2 - 1.7*(* 可選擇 0.1 至 11.2 µgn)
工作頻率(千赫):150 - 450
主電源 (kVA):(230 伏/50 赫茲) 3.3
冷卻水流量(升/分鐘):3
冷卻水壓:3 巴min,5 巴max
高頻部件尺寸(寬 x 高 x 長)(mm):432 x 140 x 400
重量(千克):12.7
高頻部分包括電纜(寬 x 高 x 長)(mm):102 x 102 x 204
高頻部件重量(不含線圈和電纜)(kg):4.5
運行模式:周期和連續(xù)模式
硼化、校準(zhǔn)、鑄造、晶體生長、化學(xué)氣相沉積(CVD 工藝)、鍛造、沸騰、寶石熱處理、粘接、石墨化、淬火、熱處理、懸浮熔化、熔化、預(yù)熱、拉伸、重熔、光譜樣品制備、熱壓、軟焊、表面保護(hù)涂層、淬火后回火
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